化学气相淀积相关论文
本课题主要对金属层间介质薄膜的片内厚度均匀性这一重要的集成电路制造工艺指标展开研究,从金属层间介质薄膜的化学气相淀积（Chemi......
用化学气相淀积(CVD)的方法, 在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层, 继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜, 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显......
应用相干反斯托克斯喇曼光谱(CARS)技术对硅甲烷(SiH4)的射频放电分解进行在位诊断.基于硅甲烷v1振动模CARS信号强度的变化,研究了......
<正>一、光化学气相淀积工艺概述在集成电路的各种低温淀积技术中,光化学气相淀积(光CVD)技术.是最年轻、最有前途的.光CVD是利用......
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SE......
用等离子体增强化学气相淀积制备了Ge掺杂SiO2薄膜,并对薄膜进行了不同温度的退火处理。采用棱镜耦合仪、原子力显微镜和傅里叶变......
介绍了ＳｉＣ材料的生长及器件制备技术，分析了目前ＳｉＣ器件及集成电路等方面的研究现状，并讨论了存在的各种问题．
The growth of SiC material......
本文给出了以WF6或WCl6为钨源,以硅烷或氯硅烷为硅源的硅化钨气相淀积体系的热力学研究结果。结合实验,讨论了热力学结果对实验的......
MOCVD(金属有机化合物化学气相淀积),是第三代新型半导体材料GaN生长技术。多片式MOCVD设备的成功研制,给半导体材料的应用提供了......
近年来,具有高密度、高速度和低功耗等特点的非挥发性存储器件在存储器的发展过程当中占据着越来越重要的地位。而在众多的新型非......
金属有机物化学气相淀积(MOCVD)是近年来迅速发展起来的一种无机材料薄膜制备技术。因其具有淀积温度低、生长速率快、组成易于控......
GaN基半导体作为一种新的光电功能材料，以其宽直接带隙、高稳定性、高热导率、高硬度等优良性质，可广泛应用于显示指示、固态照明、......
III族氮化物半导体以其宽禁带和直接带隙成为制备电力电子器件 (微波电子器件和功率电子器件) 和光电器件重要的半导体材料之一。G......
学位
石墨烯是世界上第一种被制备出的二维材料，它的出现打破了二维材料不会实际存在的理论，同时引起了世界上科学家们的广泛关注。就石墨......
采用新近研制的高真空／快速热处理／化学气相淀积（HV／RTP／CVD）系统生长了应变SiGe材料．通过仔细设计的处理过程可以得到器件质量的材料．Ge组......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
化学气相淀积金刚石薄膜过程中,CH3和C2H2是金刚石生长的主要前驱基团.C2H2与CH3浓度比([C2H2]/[CH3])的变化将影响金刚石薄膜的生......
随着半导体技术的飞速发展,单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地......
用非平衡热力学耦合模型研究了金刚石在ＣＨＣｌ体系中的生长，计算所得ＣＨＣｌ体系的金刚石生长的相图与大量实验结果符合良好．通过热力学分......
以 Ti Cl4+ O2 为反应体系 ,从热力学和动力学的角度出发 ,讨论了 RF- PCVD法制备Ti O2 超细粉成核过程的温度范围。设计了实验用......
采用低压化学气相淀积方法以相对较低的生长温度(900～1050℃)在蓝宝石(0001)衬底上外延生长了6H-SiC单晶薄膜.其晶体质量和结构由X......
用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包......
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGex:C缓冲层中Ge的......
本工作采用化学气相淀积方法,以GeH4为反应气源,以InN/GaN/Al2O3(0001)复合衬底作陪片,在GaN/Al2O3(0001)复合衬底上外延生长了Ge......
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。本文通过能量色散谱仪(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)......
采用金属有机化合物的化学气相淀积法 ,以 β-二酮螯合物为源物质 ,在多孔 Al2 O3 衬底上成功制备了超薄钯钇合金膜 .用 Pd( Ac Ac......
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SE......
用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-x Gex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱......
综述了制备ULSI低介电常数材料的各种CVD技术。详细介绍PCVD技术淀积含氟氧化硅薄膜、含氟无定型碳膜与聚酰亚胺类薄膜的工艺，简要......
介绍了氧化锌薄膜的制备方法，主要有物理和化学两种方法。物理方法有：分子束外延法（MBE），脉冲激光溅射沉积法（PLD）以及磁控溅射法；化学方法......
SiC器件可以稳定工作于高温、高频、强辐射条件下的能力已经得到证实。在许多应用领域和系统中，SiC已经成为进一步提高性能的理想材......
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过APCVD工艺在Si(100)衬底上进行SiC薄膜生长时,严格控制缓冲层生长的工艺条件,即1 300°C碳......
用化学气相淀积生长方法,以乙烯为碳源、锗烷为锗源,在Si(100)衬底上外延生长出了C组分达3%的Ge1-xCx合金薄膜,研究表明随着生长温......
综述了国内外对ZnS:Cu发光粉包覆的研究进展,阐述了国外包覆发光粉所采用流态化化学气相淀积(CVD)法,因其包覆均匀性好而成为包覆......
利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统制备了a—Si：H薄膜．使用KrF准分子脉冲激光对a-Si：H薄膜进行辐照，使a-Si：H晶化．拉曼散射谱和电......
分析了激光诱导化学气相淀积过程中激光对气体的激发机理，采用半经典近似的方法，推导出气体吸系数的数学表达式，以此为基础讨论了实验......
采用紫外光能量辅助化学气相淀积(UVCVD)方法,同时结合超高真空化学气相淀积(UHVCVD)及超低压化学气相淀积(ULPCVD)技术,在450℃低......
半导体设备商Altatech Semiconductor日前推出化学气相淀积和原子层淀积设备AltaCVD，但未透露其设备售价。......
在太阳能电池、微电子等半导体工艺制程中,液态源以生产效率高、成膜特性好、气压小不易泄漏等优点,广泛应用于扩散、氧化、化学气......
文中介绍了CVD工艺的种类和特点。以LPVCD为例,介绍了其工艺的基本原理,以及设备的基本结构。根据多年的设备维护经验,分析了LPCVD......
用非平衡热力学耦合模型计算了CVD金刚石薄膜生长过程中C2H2与CH3浓度之比[C2H2]/[CH3]随衬底温度和CH4浓度的变化关系,从理论上探......
介绍了多晶硅、单晶硅的同步外延．采用两步外延工艺，研究了硅烷流量、外延时间以及外延温度对外延质量参数α的影响．硅烷流量大、初始......
以化学气相淀积过程中晶圆表面温度分布为研究对象,分析反应过程中的工艺特点及动态特性,针对传统机理建模难以准确预测、控制晶圆......
采用等离子体增强的MOCVD技术, 以均匀混合的金属β-二酮鳌合物固态源Y(DPM)3和Zr(DPM)4作为前驱物, 在NiO/SDC多孔阳极和多孔α-A......
采用超高真空化学气相淀积系统制备了小尺寸、高密度、纵向自对准的Ge量子点.通过TEM和AFM对埋层和上层量子点的形貌和尺寸分布进......
介绍了国际上近年来碳化硅薄膜的研究情况,碳化硅外延生长大多采用溅射法(sputting)、化学气相淀积(CVD)和分子束外延(MBE).对生长......
为了得到类金刚石薄膜的性质和制备参数之间的对应关系，利用射频等离子体增强化学气相淀积在单晶硅的（100）面上制备了类金刚石薄膜，反......
