化学气相淀积相关论文
本课题主要对金属层间介质薄膜的片内厚度均匀性这一重要的集成电路制造工艺指标展开研究,从金属层间介质薄膜的化学气相淀积（Chemi......
介绍了N-PERT电池和固态源共扩散简介现行硼磷扩散工艺与固态源共扩散的对比固态源扩散P+和N+层实验结果结论N-PERT电池简介结构简......
本文用化学气相淀积(CVD)的方法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显......
本文用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金薄膜。用X射线衍射(XRD)、拉曼散射光谱(Raman)、能量色......
本文应用拉曼散射方法研究了在不同温度下生长在Si(111)衬底上的3C-SiC外延层中的静力学应力.3C-SiC外延层是采用低压化学气相沉积......
利用LP-MOCVD技术在(0002)蓝宝石衬底上制备出c轴取向高度一致的单晶ZnO薄膜,AFM测量显示其表面形貌为柱状生长的光滑表面,室温及......
SiGe-on-Insulator(SiGeOI)是一种新型的SOI材料,是一种具有广阔应用前景的微电子衬底材料.本文采用超高真空化学气相淀积(UHVCVD)......
我们利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法和等离子体氧化技术原位制备了a-Si:H/SiO多层膜,并依据激光诱导限制结晶原理,用KrF准......
介绍了等离子体增强化学气相淀积PECVD半导体技术与工业自动化系统中组态软件监控技术的特点，提出了一种新型的组态软件监控画面组......
本文报告了利用大型计算软件FLUENT对中科院半导体所新近设计的行星式多层流反应器的输运过程进行的二维数值模拟的初步结果.根据......
为了打破国外在MOCVD设备长期处于垄断,摆脱我国长期依赖进口的被动局面,我们在国家高技术发展计划("863"计划)的支持下,研制一......
本文提出一种基于SDB技术的非平面双介质埋层SOI材料研制方法。通过高压氧化获得高质量第一埋氧层,进而化学气相淀积多晶硅,运用化......
本文用化学气相淀积(CVD)方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGex:C缓冲......
采用紫外光能量辅助超高真空化学气相淀积(UV/UHVCVD)技术,在450℃低温下外延生长了SiGe/Si材料,对SiGe材料进行了x射线衍射分析,......
本文提出一种用X射线三轴晶衍射测量C-GaN晶格常数的新方法.实验测定完全弛豫的C-GaN的晶格常数为4.5036±0.0004A,这非常接近理想......
采用等离子体氧化技术和逐层(layer-by-layer)生长方法在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了纳米硅(nc-Si)浮栅存储......
利用CCS-MOCVD系统在不同条件下生长了两样品InGaN/GaN MQW蓝光LED外延片,并对两样品从外延片至制成的LED管芯及封装成器件作了测......
本文报道用低压VCD方法在Si及SiCe/Si衬底上大面积、无坑洞SiC薄膜材料的制备技术及异质结构特征,提高n-SiC/p-Si异质结二极管反向......
用化学气相淀积(CVD)的方法, 在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层, 继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜, 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显......
应用相干反斯托克斯喇曼光谱(CARS)技术对硅甲烷(SiH4)的射频放电分解进行在位诊断.基于硅甲烷v1振动模CARS信号强度的变化,研究了......
用化学气相淀积方法在Si（100）衬底上制备Si 缓冲层、继而外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex:C 合金薄膜。研究表明，较低的Si 缓冲层或Si1-......
设计了反射中心波长为500nm的Al0.3Ga0.7N/GaN和AlN/GaN两种分布布拉格反射镜(DBR),并采用光学传递矩阵方法对其光谱反射率进行了......
针对水平热壁式反应室,采用数值模拟的方法分析了SiC生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布、反应气体浓度分布以及生长率沿基......
<正>一、光化学气相淀积工艺概述在集成电路的各种低温淀积技术中,光化学气相淀积(光CVD)技术.是最年轻、最有前途的.光CVD是利用......
许多A-15相材料是重要的实用超导材料。由于超导转变温度是材料性能的重要指标,因此人们较注重研究如何提高A-15相材料的临界温度......
利用化学气相淀积（CVD）的方法在AlN／Si（111）复合衬底上成功实现了4H—SiC薄膜的异质外延生长，用X射线衍射（xRD）、扫描电子显微镜（SEM）、阴极......
目前导电性薄膜的制造方法大致有非溶液法和溶液法两种。非溶液法有蒸镀法、溅射涂膜法、化学气相淀积法(CVD法)等,这些方法都能......
类金刚石碳膜是一种新的高技术功能薄膜材料,具有类似金刚石的优异特性,在电子、光学、化工、机械、仪表等领域具有广阔的应用前景......
研究了等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）法制备ＳｉＯｘＮｙ膜工艺中混合气体配比与薄膜中氮、氧含量间的变化关系以及对膜层折射率、介电常数的影响。......
本文探讨了流态化ＣＶＤ反应器中Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４水解制备ＴｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３复合粒子新工艺，借助于ＳＥＭ、ＴＥＭ、ＢＥＴ、ＸＲＦ和ＥＰＭＡ等现代测试手段研究了复合粒子结构和包覆过程特征．结果表明，在流态......
推导出常压化学气相淀积多晶硅膜的计算机模拟算式，并进行了计算机模拟计算。在理论计算的基础上，用硅烷热分解，制备了均匀性较好的用......
在ＣＶＤ反应器中超细粒子粒度分布控制模型化研究的基础上，进一步探讨了ＣＶＤ反应器中超细粒子的形成过程，详细分析了超细粒子的烧结和晶型转变......
通过过程分析导出了ＣＶＤ合成超细粒子过程的一般动力学方程，通过鉴别试验确立了ＣＶＤ合成超细粒子过程的两大特征，简化了过程动力学方程，并进而......
ZnO薄膜是一种极为重要的多功能电子材料,已广泛地应用于体声波(BAW)延迟线、声表面波(SAW)器件、声光器件,以及气敏、力敏、压敏......
叙述了电子回旋共振（ＥＣＲ）微波等离子体技术的基本工作原理、主要特点以及发展概况，着重从ＥＣＲ等离子体实验系统、工艺应用、诊断技术和机理研......
报道了一种采用锗硅异质外延制备硅量子线的新方法。在超低压化学气相淀积外延生长Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构基础上，采用光刻和反应离子刻蚀技术形成......
报道了采用薄板层析技术分离聚环戊二烯薄膜中富勒烯Ｃ６０的方法，其薄膜是用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术制备的，以质谱分析的方法观察了......
金刚石薄膜将成为新一代电子器件,探测遥远的热发射体,参与宇宙通信,研制激光武器和极大提高信息系统的性能所不可替代的新型信息......
本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用......
在半导体材料中，ＳｉＣ比Ｓｉ具有更优越的物理特性、化学特性和半导体特性，在高温、高频和功率器件制造中有十分广阔的应用前景．但是它的材料制......
我们对多晶硅吸荣和SiO_2背封二种工艺进行了系统的深入的实用性研究，解决了VLSI用外延片衬底的关键技术，提高了硅片质量并实现产业......
氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜由于其具有奇异的结构和独特的性质,而引起广泛的关注.本文在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,以......
简要报道了采用一种改进的低压金属有机物化学气相淀积（ＬＰＭＯＣＶＤ）方法制备ＧａＮｐｎ结蓝光光发射二极管（ＬＥＤ），介绍了ＬＥＤ的基本特性．这种ＬＥＤ具有良好的ＩＶ特性和光......
